目前的(of)晶圓都是(yes)由矽元素生(born)産制成，已知矽原子的(of)直徑大(big)約是(yes)0.22nm，再考慮到(arrive)原子之間的(of)距離，理論極限至少是(yes)0.5nm，但肯定沒有任何公司可以(by)做到(arrive)。普遍認爲(for)3nm将是(yes)芯片制程工藝的(of)極限。

事實上自從晶體管制造工藝進入10nm時(hour)代之後，繼續提升制程工藝變得原來(Come)越困難，特别是(yes)Intel在(exist)14nm工藝上足足停留了(Got it) 5 年之久，因此想要(want)繼續提升芯片性能最好的(of)辦法就是(yes)另辟蹊徑。

日前，複旦大(big)學科研團隊近日在(exist)集成電路基礎研究領域取得一(one)項突破。他(he)們(them)發明了(Got it)讓單晶體管“一(one)個(indivual)人(people)幹兩個(indivual)人(people)的(of)活”的(of)新邏輯結構，使晶體管面積縮小50%，存儲計算的(of)同步性也進一(one)步提升。

複旦大(big)學微電子學院教授周鵬指出(out)：“這(this)項研究工作(do)的(of)核心内容是(yes)利用(use)原子晶體硫化钼做出(out)了(Got it)新結構晶體管。在(exist)此基礎上，團隊發明了(Got it)新的(of)單晶體管邏輯結構，在(exist)單晶體管上實現了(Got it)邏輯運算的(of)‘與’和(and)‘或’。”因此原先需要(want) 2 個(indivual)獨立晶體管才能實現邏輯功能，現在(exist)隻要(want) 1 個(indivual)晶體管即可。

如果該發明成果成功産業化，将推動集成電路向更輕、更快、更小、功耗更低方向發展。相關研究成果已在(exist)線發表于(At)《自然•納米技術》。